利用ＳＥＭ，ＴＥＭ对ＴｉＣ粒子增强的钛基复合材料的强化方式进行研究，得出：当反应界面厚度控制在０．５μｍ～２μｍ时，界面将起到良好的传递载荷的作用，使粒子承载。当粒子的粒度较小（ｄｐ〈μｍ），Ｏｒｏｗａｎ强化机制将参与材料强化，而当粒子较大时（ｄｐ〉１μｍ），阻碍位错滑移。由于两相之间的不均匀变形，在界面形成较高的应力集中，阻碍形变，并可产生形变位错源，使基体中位错增殖，形成位错胞，强化基体。当扩展裂纹遇到ＴｉＣ粒子，使扩展路径发生偏转，增加裂纹扩展能量，提高了材料的强度。