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论位错的稳定存在
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TG111.2

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On the Stability of Dislocation
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    阐述了Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论的位错形成机制。通过对系统总能量的分析提出了位错能够存在的判据,计算给出多种单质材料位错存在的极限尺寸值。

    Abstract:

    Mechanism underlying the formation of dislocation is expounded on Thomas Fermi Dirac Cheng(TFDC) electron theory. The criterion condition on the limit size of dislocation is raised, and the calculated results of the limit sizes of a set of elements are given.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

程开甲 程漱玉.论位错的稳定存在[J].稀有金属材料与工程,2002,(2):81~83.[Cheng Kaijia, Cheng Shuyu. On the Stability of Dislocation[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2002,(2):81~83.]
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  • 最后修改日期:2001-11-19
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