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低维GaN纳米材料的最新研究进展
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中图分类号:

TN304.23 TB383

基金项目:

国家自然科学基金(10044001),中科院重大项目基金资助(KY951-A1-205-05)


Synthesis of Low-dimensional Nano-structural GaN
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    氮化镓是宽的直接带隙半导体材料,由于其优异的性能,使之成为制作耐高温,大功率,低能耗电子器件,高速场效应晶体管,高效蓝光发光二极管(LED),激光二极管(LD)和紫外光电导探测器等光电子器件的理想材料,低维GaN纳米材料在基础理论研究和纳米技术应用等方面都具有巨大潜力,因此,近年来低维GaN纳米材料的制备和物性研究已成为热点之一,本文报道了低维GaN纳米材料的最新制备方法的研究进展。

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引用本文

李镇江 陈小龙 等.低维GaN纳米材料的最新研究进展[J].稀有金属材料与工程,2002,(5):321~324.[Li Zhenjiang, Li Hejun, Chen Xiaolong, Li Kezhi, Cao Yongge, Li Jianye. Synthesis of Low-dimensional Nano-structural GaN[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2002,(5):321~324.]
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  • 最后修改日期:2001-05-29
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