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MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析
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TG146.4

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国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2002AA305306)


Preparation of Iridium Films by MOCVD and Deposition Effectiveness Analysis
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    摘要:

    在不通入活性气体的条件下,采用三乙酰丙酮铱金属有机物化学气相沉积方法制备铱薄膜。结果表明:低于190℃长时间加热使先驱体分子结构改变,其C-H和C-O键断裂活性升高,导致沉积薄膜中含有显著数量的碳杂质;高于220℃加热先驱体和550℃沉积,可获得致密连续、无杂质碳并且呈亮银白色的铱薄膜。

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引用本文

华云峰,陈照峰,张立同,成来飞. MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析[J].稀有金属材料与工程,2005,34(1):139~142.[Hua Yunfeng, Chen Zhaofeng, Zhang Litong, Cheng Laifei. Preparation of Iridium Films by MOCVD and Deposition Effectiveness Analysis[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(1):139~142.]
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  • 最后修改日期:2003-05-16
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