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采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体连接反应烧结SiC
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中图分类号:

TG146.4

基金项目:

国家自然科学基金资助项目(50271003)和中国航空基础科学基金资助项目(03H51024)


Joining of Reaction-Bonded Silicon Carbide Using SiC/Si3N4 Preceramic Polymer
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    采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结碳化硅陶瓷,研究了连接温度、连接压力、浸渍/裂解增强处理对连接强度的影响.结果表明:在1100℃~1400℃温度范围内,连接强度先升高后降低;连接过程中施加适当的轴向压力可提高连接层致密度;浸渍/裂解增强处理可大幅度提高接头强度.当连接温度为1300℃,连接压力为15kPa,经3次增强处理的连接件抗弯强度达最大值169.1MPa。这种连接件的断口表面粘有大量SiC母材。由XRD研究表明,随着温度的逐步升高,聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。微观结构及成分分析显示:连接层为厚度2μm-3μm的SiCN无定形陶瓷,其结构较为均匀致密;连接层与基体间界面接合良好。

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引用本文

刘洪丽 李树杰 张听 陈志军.采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体连接反应烧结SiC[J].稀有金属材料与工程,2005,34(9):1469~1472.[Liu HongLi;Li ShuJie;Zhang Ting;Chen ZhiJun. Joining of Reaction-Bonded Silicon Carbide Using SiC/Si3N4 Preceramic Polymer[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(9):1469~1472.]
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  • 收稿日期:2004-04-26
  • 最后修改日期:2004-10-28
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