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非掺半绝缘砷化镓中的杂质与微缺陷
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中图分类号:

TN304.23

基金项目:

国家自然科学基金(60276009);中国人民解放军总装备部(00Js02.2.1QT4501);河北省自然科学基金(599033)资助项目.


Study on Impurity and Micro-Defects of ND-SI-GaAs
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    摘要:

    用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜(TEM)、电子探针X射线微区分析(EPMA)和扫描电镜能谱分析(EDX)等手段,对φ76mm非掺杂(ND)半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷、碳的微区分布进行了分析。结果表明:在晶体周边区域,由高密度位错运动和反应形成胞状结构,该胞状结构的本质就是晶体结晶时形成的小角度晶界,且位错与微缺陷有强烈的相互作用:杂质碳在胞壁、近胞壁和完整区的含量依次降低,存在条纹分布。

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引用本文

孙卫忠 牛新环 王海云 刘彩池 徐岳生.非掺半绝缘砷化镓中的杂质与微缺陷[J].稀有金属材料与工程,2006,35(10):1544~1547.[Sun Weizhong, Niu Xinhuan, Wang Haiyun, Liu Caichi, Xu Yuesheng. Study on Impurity and Micro-Defects of ND-SI-GaAs[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(10):1544~1547.]
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  • 收稿日期:2005-09-21
  • 最后修改日期:2005-09-21
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