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高性能HfAlO介质薄膜的制备
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TN304

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Preparation of High-Quality Hf-Aluminate Films by EB-PVD
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    利用超高真空电子束蒸发法制备了可替代SiO2作为栅介质的HfAlO膜.薄膜的化学组成为(HfO2)(Al2O3)2,900℃退火处理后仍然呈现非晶状态,而且表面平滑.介电常数为12.7,等效氧化物厚度2 nm,固定电荷密度4×1012cm-2,2 C栅偏压下漏电流为0.04 m A/cm2.后退火处理能有效降低固定电荷密度和泄漏电流密度,但会造成界面SiO2的生长.

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引用本文

程新红 宋朝瑞 俞跃辉.高性能HfAlO介质薄膜的制备[J].稀有金属材料与工程,2006,35(8):1192~1194.[Cheng Xinhong, Song Zhaorui, Yu Yuehui. Preparation of High-Quality Hf-Aluminate Films by EB-PVD[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(8):1192~1194.]
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  • 收稿日期:2005-05-19
  • 最后修改日期:2005-05-19
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