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热处理与元素掺杂对原位法MgB2/Fe/Cu超导线材临界电流密度的影响
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O511.3 TG146.22

基金项目:

国家重点基础研究发展计划(2006CB601004)和国家自然科学基金(50472099)资助


Influence of Heat-Treatment and Element Doping on Critical Current Density of MgB2/Fe/Cu Wires Fabricated by in-Situ PIT Technique
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    摘要:

    采用低碳钢作为外包套材料,通过原位法粉末装管工艺(in-situPIT)制备出高密度Ti、zr掺杂的MgB2/Fe/Cu线材。将线材短样在氩气保护条件下,于650-800℃烧结2~5h。MgB2线材的微结构分析显示,通过该工艺制备的MgB2/Fe/Cu线材比MgB2块材具有更好的晶粒连结性和更高的致密度。采用标准的四引线法,在4.2K,0~8T的磁场下测试线材的I临界电流密度。测试结果显示,800℃烧结的Mg0.9Zr0.1B2/Fe/Cu线材获得了最高的临界电流密度。

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引用本文

王庆阳 张平祥 李金山 阎果 卢亚锋.热处理与元素掺杂对原位法MgB2/Fe/Cu超导线材临界电流密度的影响[J].稀有金属材料与工程,2007,36(6):977~980.[Wang Qingyang, Zhang Pingxiang, Li Jinsan, Yan Guo, Lu Yafen. Influence of Heat-Treatment and Element Doping on Critical Current Density of MgB2/Fe/Cu Wires Fabricated by in-Situ PIT Technique[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(6):977~980.]
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