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中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce薄膜及其光致发光特性
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TB43

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国家自然科学基金


Preparation and Luminescent Property of Al2O3:Ce Thin Films by Medium Frequency React Magnetron Sputtering
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    用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:Ce3 的非晶薄膜.XPS监测显示,薄膜中有Ce3 生成.这些薄膜的光致发光峰是在374 nm附近,它来自于Ce3 离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈地依赖于薄膜的掺杂浓度,但发光峰位置不随掺杂浓度而变化.Ce3 含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的.薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析.俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析.发射纯蓝光的Al2O3:Ce3 非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景.

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引用本文

廖国进,巴德纯,闻立时,朱振华,刘斯明.中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce薄膜及其光致发光特性[J].稀有金属材料与工程,2008,37(3):490~494.[Liao Guojin, Ba Dechun, Wen Lishi, Zhu Zhenhua, Liu Siming. Preparation and Luminescent Property of Al2O3:Ce Thin Films by Medium Frequency React Magnetron Sputtering[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2008,37(3):490~494.]
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  • 最后修改日期:2007-02-18
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