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从SiBONC陶瓷粉体中生长β-SiC纳米线
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TB321

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国家自然科学基金


Growth of β-SiC Nanowires from SiBONC Nano Powder Compacts
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    通过有机聚合物先驱体法使用四氯化硅(SiCl4)、苯甲醛(PhCHO)、烷基胺(RNH2)、三氯化硼(BCl3)为原料,通过有机-无机裂解转化制备了SiBONC陶瓷的纳米粉体.在对SiBONC陶瓷粉末坯体进行高温气压处理时,发现在坯体表面生长出大量β-SiC纳米线.通过XRD、FT-IR、SEM、TEM等分析测试手段分析了该纳米线的微观结构和物相组成,并初步推断了其生长机制.结果表明:该纳米线为结晶良好的β-SiC,其主要组成元素为Si、C及少量的O;其直径在20~200 nm之间,其平均长度在1 mm左右.

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引用本文

温广武,李峰,韩兆祥,白宏伟.从SiBONC陶瓷粉体中生长β-SiC纳米线[J].稀有金属材料与工程,2008,37(3):561~564.[Wen Guangwu, Li Feng, Han Zhaoxian, Bai Hongwei. Growth of β-SiC Nanowires from SiBONC Nano Powder Compacts[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2008,37(3):561~564.]
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  • 最后修改日期:2007-03-03
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