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化学气相沉积纯钨材料晶体生长习性及其应用性能研究
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国家钨材料工程技术研究中心 厦门钨业股份有限公司技术中心

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中国博士后科学基金第56批面上资助(项目号2014M561867)


The Study of the growth habits and application performance of tungsten crystal via Chemical Vapor Deposition
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China National RDdDdD Center for Tungsten Technology, Xiamen Tungsten Co. Ltd. Technology Center.

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    摘要:

    化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition CVD)法可在较为简单的工艺条件下获得高纯、高致密的钨涂层和制品,且具有很高的实用性,既能充分利用钨材料优异的机械、化学及物理性能,又能极大地缩短制造周期,提高生产效率。本研究结合CVD-W材料的实际应用对其性能及组织结构的要求,详细讨论了随生长阶段的变化CVD-W表面生长形貌-晶体尺寸-表面粗糙度变化特点,获得了CVD-W表面形貌-晶粒生长尺寸-表面粗糙度三者与涂层厚度之间的关系,为CVD厚钨材料应用于高纯钨靶材行业提供了支持;重点研究了CVD-W涂层在高热环境下的组织结构变化特点,为研究CVD-W应用于高温环境中可能发生的组织结构和性能改变提供了借鉴。

    Abstract:

    The tungsten (W) parts and coating with High purity, fully dense are achieved by Chemical Vapor Deposition (CVD)with high efficiency. Based on its application requirements, the changing of surface morphology, grains size and surface roughness of CVD-W with different growth steps were studied and the relations of them were achieved. The behaviors of crystal structure of CVD-W in high temperature were observed.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

吕延伟.化学气相沉积纯钨材料晶体生长习性及其应用性能研究[J].稀有金属材料与工程,2017,46(9):2499~2504.[LV Yanwei. The Study of the growth habits and application performance of tungsten crystal via Chemical Vapor Deposition[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2017,46(9):2499~2504.]
DOI:[doi]

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  • 收稿日期:2015-05-12
  • 最后修改日期:2015-07-28
  • 录用日期:2015-10-13
  • 在线发布日期: 2017-11-29
  • 出版日期: